stonylab Oblea de silicio de cristal único de grado primero, diámetro de 4 pulgadas, tipo N, dopante de fósforo, orientación 100,

Método de crecimiento CZ fabricado con el proceso de crecimiento CZ Czochralski, asegurando uniformidad y calidad

Especificaciones 4 pulgadas de diámetro, 525m de espesor, empaquetado individualmente en cajas para protección

Especificaciones Tipo N dopante P orientación 100 especificaciones de superficie TIR 3m, TTV 10 m, ARCO 10 m, rugosidad 0,5 nm, asegurando un rendimiento preciso y confiable en aplicaciones de semiconductores

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